Si带放大光电探测器

F-tone Networks提供一系列光纤耦合、高速、高带宽的PIN探测器,内部集成放大电路,具有极高增益带宽积。设备可连接到FC/PC、APD输入端口的单模或多模光纤,这些探测器的集合覆盖从可见到近红外(400-1100 nm)的感应范围；我们探测器都采用跨阻放大结构,使得其具有低噪声,高灵敏度等特点,高增益下带宽最大可达到250MHz。请参考下表我们每个光电二极管指标,了解每个探测器的确切探测范围。

InGaAs带放大光电探测器

F-tone Networks提供一系列光纤耦合、高速、高带宽的PIN探测器,内部集成放大电路,具有极高增益带宽积。设备可连接到FC/PC、APD输入端口的单模或多模光纤,这些探测器的集合覆盖从可见到近红外(1100-1700 nm)的感应范围；我们探测器都采用跨阻放大结构,使得其具有低噪声,高灵敏度等特点,高增益下带宽最大可达到250MHz。请参考下表我们每个光电二极管指标,了解每个探测器的确切探测范围。

InGaAs带放大平衡光电探测器

F-tone Networks生产这些平衡光电探测器相当于平衡接收器,通过两个光学输入信号相减消除共模噪声,这样可以从干扰噪声本底中提取时减小光信号路径中的变化。探测器包含两个平衡的光电二极管(PIN)和一个超低噪声、高速跨阻放大器。两个光电二极管相互匹配,具有极佳的共模抑制比(CMRR),从而更好地降低噪声。请参靠下表中各型号指标了解更过信息。所有探测器都都具有3个母头SMA电连接端口,用于减少噪声,除跨阻放大器的RF OUT端口外,Monitor+和Monitor-端口可以单独监控每个光电二极管的响应。

Si带放大平衡光电探测器

高速光电探测器采用可靠高速电路设计,并应用高灵敏度光电二极管和一个超低噪声的互阻放大器,可以有效地减小电信号噪声和畸变。本系列探测器提供多种转换增益可选,满足客户的不同需求。各种不同增益的高速放大光电探测器配有一个SMA-K监测端口,监测互阻放大器上OUTPUT端电信号响应。该类探测器主要用于光谱检测、气体检测、模拟光信号接收、脉冲光探测和光纤传感测量等领域。

Si雪崩光电探测器

F-tone Networks提供雪崩光电探测器(APD)比带放大光电探测器（PIN）,同样带宽下具有更高的灵敏度和更低的噪声,因此非常适合用于低光功率应用,一般而言,雪崩光电二极管利用内部增益机制提高灵敏度。在二极管上施加高反向偏压产生强电场。当一个入射光子产生一个电子空穴对时,电场使电子加速,导致由碰撞电离产生次级电子。所产生的电子雪崩将产生几百倍的增益,用乘法因子M表示,M因子与反向偏压和温度有关。M因子随温度降低而增大,随温度升高而减小。因此我们所有雪崩光电探测器都提供温度补偿,无需外置温控。目前我们只提供光纤耦合的雪崩光电探测器(APD),这些探测器的集合覆盖从可见到近红外(400-1100 nm)的感应范围；请参考下表我们每个光电二极管指标,了解每个探测器的确切探测范围。

InGaAs雪崩光电探测器

F-tone Networks提供雪崩光电探测器(APD)比带放大光电探测器（PIN）,同样带宽下具有更高的灵敏度和更低的噪声,因此非常适合用于低光功率应用,一般而言,雪崩光电二极管利用内部增益机制提高灵敏度。在二极管上施加高反向偏压产生强电场。当一个入射光子产生一个电子空穴对时,电场使电子加速,导致由碰撞电离产生次级电子。所产生的电子雪崩将产生几百倍的增益,用乘法因子M表示,M因子与反向偏压和温度有关。M因子随温度降低而增大,随温度升高而减小。因此我们所有雪崩光电探测器都提供温度补偿,无需外置温控。目前我们只提供光纤耦合的雪崩光电探测器(APD),这些探测器的集合覆盖从可见到近红外(1100-1700 nm)的感应范围；请参考下表我们每个光电二极管指标,了解每个探测器的确切探测范围。